Фоторезисты для обратной фотолитографии PMMA, PMGI компании MicroChem Corp. (США)
Компания MicroChem Corporation (США), основанная в 2002 году, располагает развитой производственной инфраструктурой и современной научно-исследовательской базой.
Компания производит фоторезисты:
- фоторезисты PMMA (полиметилметакрилат) — универсальный полимерный материал, который широко используется в микроэлектронике;
- фоторезисты на основе полидиметилглутаримида PMGI от MicroChem Corporation (США); подходят для применений, требующих высокого разрешения изображения (магниторезистивные головки, радиотехнические устройства, оптоэлектроника, интегральные микросхемы).
Фоторезисты PMMA, PMGI
|
Серия |
Фоторезист |
Толщина, мкм |
Проявитель |
Средства удаления |
Длина волны экспонирования |
Применение |
|
PMMA Позитивный
|
495 PMMA A4 |
0.5-2 |
MIBK |
Remover PG, Acryl Strip |
i-линия, ГУФ, рентген |
Позитивный фоторезист с высоким разрешением в электронно-лучевой литографии с непосредственным формированием рисунка |
|
PMGI SF 3 PMGI SF 9 PMGI SF 11 Позитивный
|
G113103 G113109 G113111 |
0,5-5 |
TMAH |
Remover PG |
i,h,g линии, ГУФ, e-beam |
В паре с обычными фоторезистами позволяет осуществлять процесс двухслойной обратной фотолитографии. Это дает возможность получить разрешения, недостижимые для однослойного процесса, что подразумевает получение слоёв толщиной больше 4 мкм при разрешении менее 0,25 мкм |
|
Негативный |
SU-8 2000,5 SU-8 2002 SU-8 2005 SU-8 2007 SU-8 2010 SU-8 2015 |
1 - 100 |
SU-8 developer. |
Remover PG. |
i-линия (365 нм) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм). |
Высокая термическая и химическая устойчивость. Позволяет получать структуры с соотношением около 10:1, имеющие практически вертикальные стенки |
|
LOR Позитивный
|
LOR 1A LOR 5A LOR 10A LOR 5B LOR 10B LOR 20B |
0.2 - 5 |
TMAH, 26N |
EBR PG MicroChem |
g-, h-, i-линии, 193 нм, электронно-лучевые резисты |
В паре с обычными фоторезистами позволяет осуществлять процесс двуслойной обратной фотолитографии. |
|
AR-N 4400 Негативный
Скачать Техническое описание |
4400-05 4400-10 4450-10 4400-25 4400-50 |
5 10 10 25 50 |
AR 300-47 AR 300-46 |
AR 600-71, AR 600-70 |
I, g-line, E-Beam, рентгеновский снимок, синхротрон, широкополосный УФ |
химически прочный, очень хорошая адгезия, устойчив к гальванике; - очень высокая чувствительность, легко снимается; - профили с высокой точностью кромок для отличного решения поверхности топологии |
