Фоторезисты MICROPOSIT, MEGAPOSIT компании DuPont и Dow Chemical Company
В 2017 году произошло объединение компаниЙ Dow Chemical (Dow Inc) и DuPont.
Компании DuPont и Dow Chemical предлагают надежную, проверенную в производстве линейку фоторезистов, которые отвечают требованиям различных процессов литографии с длинами волн от 365 нм до 13,5 нм.
Скачать Презентацию фоторезистов Dow
| Серия | Фоторезист | Толщина, мкм | Проявители | Длина волны экспонирования | Области применения |
| MICROPOSIT S 1800G |
S1805G S1811G S1813G S1818G S1822G |
0,7-2,8 |
MF™-319 MF™-321 |
i-, g-линии | Общие рекомендации по фоторезистам для изготовления усовершенствованных микросхем |
| MICROPOSIT S 1800G2 |
S1805G2 S1811G2 S1813G2 S1818G2 S1828G2 |
0,7-2,8 |
MF™-319 MF™-321 |
i-, g-линии | Общие рекомендации по фоторезистам для изготовления усовершенствованных микросхем |
| MEGAPOSIT SPR 220 |
SPR220-1,2 SPR220-1,5 SPR220-3,0 SPR220-4,5 SPR220-7,0 |
1,2-7,0 |
MF-20A MF-CD-26 |
i-, g-линии |
Фоторезисты общего назначения с отличной адгезией и характеристиками нанесения покрытий для MEMS и процессов с ударными деформациями Области применения: Cu, Au, NiFe |
| MEGAPOSIT SPR 350 |
SPR 350-1,2 |
1,2 |
MF-20A MF-CD-26 |
i-, g-линии |
Позитивный фоторезист Для сухого травления |
| MEGAPOSIT SPR700 |
SPR-1,0 SPR-1,2 SPR-1,8 |
1,0-1,8 |
MF-701 0.26N 0.21N |
i-, g-линии | Многоволновые фоторезисты оптимизированы для обеспечения высоких температур обработки и производительности при превосходной термостойкости |
| MEGAPOSIT SPR 955 |
SPR-955-0,7 SPR-955-0,9 SPR-955-1,1 SPR-955-1,4 SPR-955-1,8 SPR-955-2,1 |
0,7-2,1 |
MF-CD-26 0.24 0.26N |
i-линии | Фоторезист общего назначения с высокой производительностью для интерфейсных и серверных процессов 0,35 мкм |
| EPIC2135 |
EPIC2135-0,26 EPIC2135-0,32 |
0,26-0,32 | MF-26A |
90, 130, 180 нм Позитив; технологий «65 нм» и «90 нм» |
Разработанный для технологий «65 нм» и «90 нм»,для использования в производстве полупроводниковых приборов. |
| MEGAPOSIT SPR 3000 |
MEGAPOSIT SPR 3612 |
0,12 |
0.24 N 0.26N |
для i-, g-линий и широкополосных приложений |
Позитивный фоторезист, обеспечивающий высокую производительность и отличные литографические характеристики. Высокая термостойкость / устойчивость к травлению |
| UV5 | UV5-0.6 | 0,6 |
MF-20A MF-CD-26 0.26N |
Длина волны экспонирования ГУФ (глубокого ультрафиолета) | Для обеспечения изображения вертикального профиля изолированных и полуплотных элементов |
| ULTRA-i 123 | ULTRA-i 123-0,8 | 0,8 |
0.26N MF CD-26 |
Длина волны 250 нм i-Line |
Общего назначения Оптимизирован для антибликового покрытия. |
| ma-P 1200 | ma-P 1225 | 2,5 |
ma-D 532/S, mr-D 526/S (на основе TMAH) для серой литографии ma-D 331 (на основе NaOH) для стандартной бинарной литографии» |
для i-, g-линий | Тонкоплёночные фоторезисты для влажного травления, сухого травления, имплантации и нанесения покрытий |
