» ELTM.ru » Продукция » Фоторезист » Фоторезист жидкий » Фоторезисты MicroChem

Фоторезисты компании MicroChem Corp. (США)

Компания MicroChem Corporation (США), основанная в 2002 году, располагает развитой производственной инфраструктурой и современной научно-исследовательской базой.

Компания MicroChem разрабатывает и производит специальные химические вещества, в том числе фоторезисты и вспомогательные материалы для МЭМС, микроэлектроники, передовой литографии, специальных дисплеев, упаковки, оптоэлектроники и других динамично развивающихся технологических рынков.

Серия	Фоторезист	Толщина, мкм	Проявитель	Средства удаления	Длина волны экспонирования	Применение
PMMA Позитивный Скачать DataSheet	495 PMMA A4 950 РММА А4 ММА8,5 EL13	0.5-2	MIBK	Remover PG, Acryl Strip	i-линия, ГУФ, рентген	Позитивный фоторезист с высоким разрешением в электронно-лучевой литографии с непосредственным формированием рисунка
PMGI SF 3 PMGI SF 9 PMGI SF 11 Позитивный Скачать DataSheet	G113103 G113109 G113111	0,5-5	TMAH	Remover PG	i,h,g линии, ГУФ, e-beam	В паре с обычными фоторезистами позволяет осуществлять процесс двухслойной обратной фотолитографии. Это дает возможность получить разрешения, недостижимые для однослойного процесса, что подразумевает получение слоёв толщиной больше 4 мкм при разрешении менее 0,25 мкм
SU-8 2000 Негативный Скачать техническое описание	SU-8 2000,5 SU-8 2002 SU-8 2005 SU-8 2007 SU-8 2010 SU-8 2015 SU-8 2025 SU-8 2035 SU-8 2050 SU-8 2075	1 - 100	SU-8 developer.	Remover PG.	i-линия (365 нм) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).	Высокая термическая и химическая устойчивость. Позволяет получать структуры с соотношением около 10:1, имеющие практически вертикальные стенки
LOR Позитивный Скачать Техническое описание	LOR 1A LOR 5A LOR 10A LOR 5B LOR 10B LOR 20B	0.2 - 5	TMAH, 26N	EBR PG MicroChem	g-, h-, i-линии, 193 нм, электронно-лучевые резисты	В паре с обычными фоторезистами позволяет осуществлять процесс двуслойной обратной фотолитографии.
SU-8 3000 Негативный Скачать Техническое описание	SU-8 3005 SU-8 3010 SU-8 3025 SU-8 3035 SU-8 3050	4-120	SU-8 developer	Remover PG.	i,h,g линии	Для получения изображений вертикальных боковых стенок в очень толстых пленках. для микроэлектронных применений, где требуется толстое, химически и термически стабильное изображение.