Источники-измерители
Название | Производитель | Выходная мощность | Допустимая нагрузка по току | Допустимое напряжение | Диапазон сопротивления | Применение |
2400, 2400-С, 2400-LV
|
Keithley |
22Вт | Мин:+\-10 пА Макс: +/-1,05 А |
Мин: +/- 1 мВ Макс: +/-21/+/-210 В |
‹0,2 Ом до ›200 МОм |
Резистивные устройства Диоды Оптоэлектронные компоненты IDDQ тестирование |
2460
|
Keithley |
100Вт | Мин:+\-10 пА Макс: +/-7 А |
Мин: +/- 100нВ Макс: +/-100В |
1мкОм...20МОм+ |
Полупроводниковые приборы Оптоэлектроника Солнечные батареи Наноматериалы Графен Электрохимия Датчики Биотехнологии |
2410, 2410-С
|
Keithley |
22Вт | Мин:+\-10пА Макс: +/-1,05 А |
Мин: +/- 1мВ Макс:+/-1100 В |
‹0,2 Ом до ›200 МОм |
Коэффициент напряжения Варисторы Высоковольтные диоды и защитные устройства |
2420, 2420-C
|
Keithley |
66Вт | Мин:+\-100 пА Макс:+/-3,15 А |
Мин:+/-1мВ Макс:+/-63В |
‹0,2 Ом до ›200МОм |
Мощные резисторы Термисторы Солнечные батареи Батареи Диоды IDDQ тестирование |
2425, 2425-С
|
Keithley |
110Вт | Мин:+\-100пА Макс:+/-3,15А |
Мин: +/-1мВ Макс: +/-105В |
‹0,2 Ом до ›200МОм |
Силовые полупроводниковые приборы DC/DC преобразователи Высоковольтные компоненты IDDQ тестирование |
2430,2430-С
|
Keithley |
1100 Вт* (В импульсном режиме) | Мин:+\-100 пА Макс: +/-10,5 А |
Мин: +/- 1мВ Макс: +/-105В |
‹0,2 Ом до ›200МОм |
Тестирование импульса высокой мощности Варисторы и другие устройства замыкания |
2440, 2440-С
|
Keithley |
55Вт | Мин:+\-100 пА Макс:+/-5,25 А |
Мин: +/- 1 мВ Макс: +/-42 В |
‹0,2 Ом до ›200МОм |
Мощные лазеры накачки |
2450 (С графическим сенсорным экраном)
|
Keithley |
20 Вт | 10нА – 1A |
20 мВ – 200 В |
до 200 МОм |
Полупроводниковые приборы ■ Светодиоды ■ Солнечные батареи ■ Наноматериалы и наноустройства ■ Графен ■ Печатные и гибкие электронные устрой- ства ■ Аккумуляторы и другие электрохимические устройства ■ Датчики ■ Биотехнологии |
2601B, 2602B, 2604B
|
Keithley |
40.4 Вт\канал | Мин:+/-1пА Макс:+/-3,03А при постоянному токе /10А в импульсном режиме на канал |
Мин:+/- 1 мВ Макс:+/-40.4 В\канал |
Тестирование нано-устройств и материалов Тестирование оптоэлектронных устройств, таких как Leds, VCSEls, и дисплеев Тестирование интегрированных устройств, таких как RFICs,ASICs, SOCs Испытание на надежность подложки Вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов |
|
2611B, 2612B, 2614B
|
Keithley |
30.3 Вт\канал | Мин:+/-1пА Макс:+/-1,5А при постоянном токе \10А в импульсном режиме на канал |
Мин:+/- 1 мВ Макс:+/-202 В |
Тестирование нано-устройств и материалов Тестирование оптоэлектронных устройств, таких как Leds, VCSEls, и дисплеев Тестирование интегрированных устройств, таких как RFICs,ASICs, SOCs Испытание на надежность подложки Вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов |
|
2635B,2636B, 2634B
|
Keithley |
30.3 Вт\канал | Мин:+/-1фА Макс:+/-1,5А при постоянном токе \10А в импульсном режиме на канал |
Мин:+/- 1 мВ Макс:+/-202 В |
Тестирование нано-устройств и материалов Тестирование оптоэлектронных устройств, таких как Leds, VCSEls, и дисплеев Тестирование интегрированных устройств, таких как RFICs,ASICs, SOCs Испытание на надежность подложки Вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов |
|
6430
|
Keithley |
2Вт | Мин:+\-10 aА* Макс: +/-1,05А |
Мин:+/- 1 мВ Макс:+/-210 В |
‹0,2 Ом до ›20ТОм |
Исследования пучка частиц Тестирование одноэлектронного полупроводникового прибора Тестирование сверхвысокого сопротивления (выше 10¹⁵Ом) Тестирование нано материалов Экспериментальные наноструктуры |
237
|
Keithley |
11Вт | Мин:+/-100 фA Макс:+/-100 мА |
Мин:+/-100 мВ Макс:+/-1100 В |
Получение DC/CW-характеристик полупроводниковых лазерных диодов и модулей Получение PIN и APD-характеристик Получение характеристик углеродных нанотрубок Исследования материалов Наноэлектроника |
|
2651A
|
Keithley |
2000 Вт в импульсном режиме\ 200 Вт на постоянном токе | 50A, 20A, 10A, 5A |
40 В, 10 В, 20 В, 40 В |
10 ГОм |
Силовая полупроводниковая электроника Мощные и сверхяркие светодиоды и оптические устройства GaN, SIC и другие композиционные материалы и устройства Температурные измерения стыков Изучение процессов электромиграции |
2657А
|
Keithley |
180 Вт | 120 мА–1 фA |
100 нВ – 3000 В |
До 100 РОм |
Силовая полупроводниковая электроника GaN, SIC и другие композиционные материалы и устройства • напряжение пробоя, ток утечки • характеризация переходных процессов |
2401
|
Keithley |
20 Вт | 10 пA–1 A |
1 мкВ–20 В |
до 200 МОм |
Источник напряжения Источник тока Измеритель напряжения Измеритель тока Омметр |