Фоторезисты PMMA, PMGI компании MicroChem Corp. (США)
Компания MicroChem Corporation (США), основанная в 2002 году, располагает развитой производственной инфраструктурой и современной научно-исследовательской базой.
Компания MicroChem разрабатывает и производит специальные химические вещества, в том числе фоторезисты и вспомогательные материалы для МЭМС, микроэлектроники, передовой литографии, специальных дисплеев, упаковки, оптоэлектроники и других динамично развивающихся технологических рынков.
Компания производит фоторезисты:
- фоторезисты PMMA (полиметилметакрилат) — универсальный полимерный материал, который широко используется в микроэлектронике;
- фоторезисты на основе полидиметилглутаримида PMGI от MicroChem Corporation (США); подходят для применений, требующих высокого разрешения изображения (магниторезистивные головки, радиотехнические устройства, оптоэлектроника, интегральные микросхемы).
Фоторезисты PMMA, PMGI
|
Серия |
Фоторезист |
Толщина, мкм |
Проявитель |
Средства удаления |
Длина волны экспонирования |
Применение |
|
PMMA Позитивный
|
495 PMMA A4 950 РММА А4 ММА8,5 EL13 |
0.5-2 |
MIBK |
Remover PG, Acryl Strip |
i-линия, ГУФ, рентген |
Позитивный фоторезист с высоким разрешением в электронно-лучевой литографии с непосредственным формированием рисунка |
|
PMGI SF 3 PMGI SF 9 PMGI SF 11 Позитивный
|
G113103 G113109 G113111 |
0,5-5 |
TMAH |
Remover PG |
i,h,g линии, ГУФ, e-beam |
В паре с обычными фоторезистами позволяет осуществлять процесс двухслойной обратной фотолитографии. Это дает возможность получить разрешения, недостижимые для однослойного процесса, что подразумевает получение слоёв толщиной больше 4 мкм при разрешении менее 0,25 мкм |
|
SU-8 2000 Негативный
|
SU-8 2000,5 SU-8 2002 SU-8 2005 SU-8 2007 SU-8 2010 SU-8 2015 SU-8 2025 SU-8 2035 SU-8 2050 SU-8 2075 |
1 - 100 |
SU-8 developer. |
Remover PG. |
i-линия (365 нм) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм). |
Высокая термическая и химическая устойчивость. Позволяет получать структуры с соотношением около 10:1, имеющие практически вертикальные стенки |
|
LOR Позитивный
|
LOR 1A LOR 5A LOR 10A LOR 5B LOR 10B LOR 20B |
0.2 - 5 |
TMAH, 26N |
EBR PG MicroChem |
g-, h-, i-линии, 193 нм, электронно-лучевые резисты |
В паре с обычными фоторезистами позволяет осуществлять процесс двуслойной обратной фотолитографии. |
|
SU-8 3000 Негативный
|
SU-8 3005 SU-8 3010 SU-8 3025 SU-8 3035 SU-8 3050 |
4-120 |
SU-8 developer |
Remover PG. |
i,h,g линии |
Для получения изображений вертикальных боковых стенок в очень толстых пленках. для микроэлектронных применений, где требуется толстое, химически и термически стабильное изображение. |
