Источники-измерители


Название Производитель Выходная мощность Допустимая нагрузка по току Допустимое напряжение Диапазон сопротивления Применение
2460
2460

Keithley

100Вт

Мин:+\-10 пА

Макс: +/-7 А

Мин: +/- 100нВ

Макс: +/-100В

1мкОм...20МОм+

Полупроводниковые приборы

Оптоэлектроника

Солнечные батареи

Наноматериалы

Графен

Электрохимия

Датчики

Биотехнологии

2400, 2400-С, 2400-LV
2400, 2400-С, 2400-LV

Keithley

22Вт

Мин:+\-10 пА

Макс: +/-1,05 А

Мин: +/- 1 мВ

Макс: +/-21/+/-210 В

‹0,2 Ом до ›200 МОм

Резистивные устройства

Диоды

Оптоэлектронные компоненты

IDDQ тестирование

2410, 2410-С
2410, 2410-С

Keithley

22Вт

Мин:+\-10пА

Макс: +/-1,05 А

Мин: +/- 1мВ

Макс:+/-1100 В

‹0,2 Ом до ›200 МОм

Коэффициент напряжения

Варисторы

Высоковольтные диоды и защитные устройства

2420, 2420-C
2420, 2420-C

Keithley

66Вт

Мин:+\-100 пА

Макс:+/-3,15 А

Мин:+/-1мВ

Макс:+/-63В

‹0,2 Ом до ›200МОм

Мощные резисторы

Термисторы

Солнечные батареи

Батареи

Диоды

IDDQ тестирование

2425, 2425-С
2425, 2425-С

Keithley

110Вт

Мин:+\-100пА

Макс:+/-3,15А

Мин: +/-1мВ

Макс: +/-105В

‹0,2 Ом до ›200МОм

Силовые полупроводниковые приборы

DC/DC преобразователи

Высоковольтные компоненты

IDDQ тестирование

2430,2430-С
2430,2430-С

Keithley

1100 Вт* (В импульсном режиме)

Мин:+\-100 пА

Макс: +/-10,5 А

Мин: +/- 1мВ

Макс: +/-105В

‹0,2 Ом до ›200МОм

Тестирование импульса высокой мощности

Варисторы и другие устройства замыкания

2440, 2440-С
2440, 2440-С

Keithley

55Вт

Мин:+\-100 пА

Макс:+/-5,25 А

Мин: +/- 1 мВ

Макс: +/-42 В

‹0,2 Ом до ›200МОм

Мощные лазеры накачки

2450 (С графическим сенсорным экраном)
2450 (С графическим сенсорным экраном)

Keithley

20 Вт

10нА – 1A

20 мВ – 200 В

до 200 МОм

Полупроводниковые

приборы

■ Светодиоды

■ Солнечные батареи

■ Наноматериалы

и наноустройства

■ Графен

■ Печатные и гибкие

электронные устрой-

ства

■ Аккумуляторы

и другие

электрохимические

устройства

■ Датчики

■ Биотехнологии

2601B, 2602B, 2604B
2601B, 2602B, 2604B

Keithley

40.4 Вт\канал

Мин:+/-1пА

Макс:+/-3,03А при постоянному токе /10А в импульсном режиме на канал

Мин:+/- 1 мВ

Макс:+/-40.4 В\канал

Тестирование нано-устройств и материалов

Тестирование оптоэлектронных устройств, таких как Leds, VCSEls, и дисплеев

Тестирование интегрированных устройств, таких как RFICs,ASICs, SOCs

Испытание на надежность подложки

Вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов

2611B, 2612B, 2614B
2611B, 2612B, 2614B

Keithley

30.3 Вт\канал

Мин:+/-1пА

Макс:+/-1,5А при постоянном токе \10А в импульсном режиме на канал

Мин:+/- 1 мВ

Макс:+/-202 В

Тестирование нано-устройств и материалов

Тестирование оптоэлектронных устройств, таких как Leds, VCSEls, и дисплеев

Тестирование интегрированных устройств, таких как RFICs,ASICs, SOCs

Испытание на надежность подложки

Вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов

2635B,2636B, 2634B
2635B,2636B, 2634B

Keithley

30.3 Вт\канал

Мин:+/-1фА

Макс:+/-1,5А при постоянном токе \10А в импульсном режиме на канал

Мин:+/- 1 мВ

Макс:+/-202 В

Тестирование нано-устройств и материалов

Тестирование оптоэлектронных устройств, таких как Leds, VCSEls, и дисплеев

Тестирование интегрированных устройств, таких как RFICs,ASICs, SOCs

Испытание на надежность подложки

Вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов

6430
6430

Keithley

2Вт

Мин:+\-10 aА*

Макс: +/-1,05А

Мин:+/- 1 мВ

Макс:+/-210 В

‹0,2 Ом до ›20ТОм

Исследования пучка частиц

Тестирование одноэлектронного полупроводникового прибора

Тестирование сверхвысокого сопротивления (выше 10¹⁵Ом)

Тестирование нано материалов

Экспериментальные наноструктуры

237
237

Keithley

11Вт

Мин:+/-100 фA

Макс:+/-100 мА

Мин:+/-100 мВ

Макс:+/-1100 В

Получение DC/CW-характеристик полупроводниковых лазерных диодов и модулей

Получение PIN и APD-характеристик

Получение характеристик углеродных нанотрубок

Исследования материалов

Наноэлектроника

2651A
2651A

Keithley

2000 Вт в импульсном режиме\ 200 Вт на постоянном токе

50A, 20A, 10A, 5A

40 В, 10 В, 20 В, 40 В

10 ГОм

Силовая полупроводниковая электроника

Мощные и сверхяркие светодиоды и оптические устройства

GaN, SIC и другие композиционные материалы и устройства

Температурные измерения стыков

Изучение процессов электромиграции

2657А
2657А

Keithley

180 Вт

120 мА–1 фA

100 нВ – 3000 В

До 100 РОм

Силовая полупроводниковая электроника

GaN, SIC и другие композиционные материалы и устройства

• напряжение пробоя, ток утечки

• характеризация переходных процессов

2401
2401

Keithley

20 Вт

10 пA–1 A

1 мкВ–20 В

до 200 МОм

Источник напряжения

Источник тока

Измеритель напряжения

Измеритель тока

Омметр