Фоторезисты для обратной фотолитографии PMMA, PMGI компании MicroChem Corp. (США)

 

Компания MicroChem Corporation (США), основанная в 2002 году, располагает развитой производственной инфраструктурой и современной научно-исследовательской базой.

 

Компания производит фоторезисты:

- фоторезисты PMMA (полиметилметакрилат) — универсальный полимерный материал, который широко используется в микроэлектронике;

- фоторезисты на основе полидиметилглутаримида PMGI от MicroChem Corporation (США); подходят для применений, требующих высокого разрешения изображения (магниторезистивные головки, радиотехнические устройства, оптоэлектроника, интегральные микросхемы).

 Фоторезисты PMMA, PMGI

Серия

Фоторезист

Толщина, мкм

Проявитель

Средства удаления

Длина волны экспонирования

Применение

PMMA

Позитивный

 

Скачать DataSheet

495 PMMA A4

0.5-2

MIBK

Remover PG, Acryl Strip

i-линия, ГУФ, рентген

Позитивный фоторезист с высоким разрешением в электронно-лучевой литографии с непосредственным формированием рисунка

PMGI SF 3

PMGI SF 9

PMGI SF 11

Позитивный

 

Скачать DataSheet

G113103

G113109

G113111

0,5-5

TMAH

Remover PG

i,h,g линии, ГУФ, e-beam

В паре с обычными фоторезистами позволяет осуществлять процесс двухслойной обратной фотолитографии.

Это дает возможность получить разрешения, недостижимые для однослойного процесса, что подразумевает получение слоёв толщиной больше 4 мкм при разрешении менее 0,25 мкм

SU-8 2000

Негативный

SU-8 2000,5

SU-8 2002

SU-8 2005

SU-8 2007

SU-8 2010

SU-8 2015

1 - 100

SU-8 developer.

Remover PG.

 i-линия (365 нм) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).

Высокая термическая и химическая устойчивость.

Позволяет получать структуры с соотношением около 10:1, имеющие практически вертикальные стенки