Компания AgilentTechnologiesобъявила о выпуске ADS 2012, следующей версии ведущей платформы САПР для проектирования ВЧ и СВЧ устройств Advanced Design System (ADS).
САПР ADS 2012 обладает новыми возможностями для повышения эффективности всех поддерживаемых ею приложений, а также революционными технологиями, используемыми при создании многокристальных модулей ВЧ усилителей мощности на основе GaAs, GaNи кремния.
Повышение эффективности
САПР ADS 2012 отличается множеством усовершенствований интерфейса пользователя, направленных на улучшение эффективности проектирования. Например, окна-закладки обеспечивают быстрый доступ к часто используемым диалоговым окнам, таким как информация о компонентах и отображение слоев топологии. Новые функции поиска компонентов и навигации по цепям упрощают работу с большими схемами, а новая утилита архивирования/разархивирования облегчает обмен схемами и проектами между разработчиками.
Кроме того, были обновлены два модуля помощи в разработке. Теперь модуль помощи в разработке ADS Load Pull поддерживает моделирование рассогласования нагрузки для выявления чувствительности устройства или усилителя к изменению КСВ или фазы. Модуль помощи в разработке Amplifier претерпел серьезные изменения, упрощающие оценку параметров усилителя при заданной выходной мощности или при заданной компрессии усиления.
Революционные достижения
Другие передовые функции для проектирования ВЧ усилителей в ADS 2012:
o Глубокая интеграция с САПР EMPro, позволяющая сохранять 3D ЭМ модели компонентов в библиотеку для непосредственного применения в ADS.
o Новый электротермический симулятор, основанный на встроенном в ADS полном 3D термическом симуляторе, который учитывает тепловые эффекты для повышения точности моделирования.
o Настройка электромагнитного (ЭМ) моделирования многокристальных модулей и моделирование различных технологий с помощью метода конечных элементов (FEM) для анализа ЭМ взаимодействия между ИС, соединительными проводниками, проволочными перемычками и переходными соединениями в типичных многокристальных модулях ВЧ усилителей.
o Поддержка новой искусственной нейронной модели Agilent NeuroFET (полученной с помощью ПО моделирования устройств AgilentIC-CAP) для обеспечения более точного моделирования полевых транзисторов (например, мощных полевых транзисторов на основе GaN).
